ISC240P06LMATMA1 vs ISC045N03L5SATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de ISC240P06LMATMA1 par Infineon et ISC045N03L5SATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre ISC240P06LMATMA1 ISC045N03L5SATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,99 $0,51
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V 30 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) -59 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V 24 mΩ —
Power Dissipation (Ta) 188 W —
Technology OptiMOS trench OptiMOS 5 / Trench
Boîtier PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6) SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-6)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
Température de jonction en fonctionnement -55 °C to +175 °C —
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Avalanche Rated Yes (single-pulse) —
Lead-Free / RoHS Yes (per Infineon product page) —
REACH Compliance Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — ISC045N03L5SATMA1
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 18 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 63 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 4.5 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 2 V @ ID=250 µA
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Total Gate Charge (Qg) — 13 nC @ VGS=10 V
Input Capacitance (Ciss) — 870 pF @ VDS=15 V
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 30 W
Plage de température de fonctionnement — -55 °C to +150 °C
Statut RoHS — Compliant

Fiches techniques et ressources

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