ISC240P06LMATMA1 vs ISC045N03L5SATMA1 比較

詳細な並列比較: ISC240P06LMATMA1 メーカー: Infineon および ISC045N03L5SATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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ISC240P06LMATMA1 ISC240P06LMATMA1 - 60V P-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

ISC240P06LMATMA1 - 60V P-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

ISC240P06LMATMA1 ✓ 生産中
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ISC045N03L5SATMA1 ISC045N03L5SATMA1 - 30V 4.5mΩ OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

ISC045N03L5SATMA1 - 30V 4.5mΩ OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

ISC045N03L5SATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ ISC240P06LMATMA1 ISC045N03L5SATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.99 $0.51
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V 30 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) -59 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V 24 mΩ —
Power Dissipation (Ta) 188 W —
Technology OptiMOS trench OptiMOS 5 / Trench
パッケージ PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6) SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-6)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
動作接合温度 -55 °C to +175 °C —
MSLレベル 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Avalanche Rated Yes (single-pulse) —
Lead-Free / RoHS Yes (per Infineon product page) —
REACH Compliance Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — ISC045N03L5SATMA1
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 18 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 63 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 4.5 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 2 V @ ID=250 µA
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Total Gate Charge (Qg) — 13 nC @ VGS=10 V
Input Capacitance (Ciss) — 870 pF @ VDS=15 V
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 30 W
動作温度範囲 — -55 °C to +150 °C
RoHS ステータス — Compliant

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