ISC300N20NM6ATMA1 vs ISC011N04NM7VATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de ISC300N20NM6ATMA1 par Infineon et ISC011N04NM7VATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
ISC300N20NM6ATMA1 - 200V 44A OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon
ISC300N20NM6ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | ISC300N20NM6ATMA1 | ISC011N04NM7VATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $3,15 | $0,41 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 6 200V | OptiMOS 7 Power-Transistor |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 200 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 44 A | 256 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 6.5 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 136 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3 W | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 27 mΩ (typical) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4.5 V | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8 | PG-TDSON-8 (source-down) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 6 | Trench MOSFET, silicon |
| Operating Mode | Enhancement | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 38 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 1.1 mΩ |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 136 W |
| Gate Threshold Voltage (Vth) | — | Up to 3.2 V |
| Short-Circuit Withstand | — | Yes (current-limited) |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55 °C to +175 °C (TJ) |
| RoHS Compliance | — | Compliant (per Infineon product page) |
| Niveau MSL | — | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) |