ISC800P06LMATMA1 vs IPD65R380E6ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de ISC800P06LMATMA1 par Infineon et IPD65R380E6ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | ISC800P06LMATMA1 | IPD65R380E6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,61 | $0,65 |
| FET Type | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 19.6 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 83 W | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8 (TDSON EP, 5x6 mm) | PG-TO252-3 (DPAK), surface mount |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS trench MOSFET | Superjunction (CoolMOS™) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V] | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 C to +175 C (junction) | -55 °C to +150 °C |
| Nombre de broches | 8 | — |
| Lead-Free | Yes (per Infineon product page) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| Avalanche Rated | Yes (per Infineon datasheet) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | CoolMOS™ E6 |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 650 V |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C | — | 10.6 A |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | — | 380 mΩ |
| R_DS(on) test conditions | — | 3.2 A, 10 V |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | 3.5 V typ |
| Gate Charge (Q_G) | — | 39 nC at 10 V |
| Input Capacitance (C_iss) | — | 710 pF at 100 V |
| Power Dissipation (P_D) at T_C | — | 83 W |