ISZ019N03L5SATMA1 vs BSC014N04LSATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de ISZ019N03L5SATMA1 par Infineon et BSC014N04LSATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre ISZ019N03L5SATMA1 BSC014N04LSATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,48 $0,74
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 (<= 40V) —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 22 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 40 A —
RDS(on) at VGS=10V 1.9 mΩ (typical, ID=20A) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V (typical) —
Gate-Source Voltage Rating (VGS) ±20 V —
Total Gate Charge (Qg) 44 nC at VGS=10V —
Input Capacitance (Ciss) 2800 pF at VDS=15V —
Boîtier PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm) SuperSO8 (TDSON-8 FL) 5x6 mm
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C (TJ max) -55C to +175C
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (unlimited)
RoHS / REACH Compliant —
Avalanche Rated Yes —
RG-tested 100% —
Series — OptiMOS 5
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 32 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
RDS(on) max at VGS=10 V — 1.4 mOhm
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc — 96 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — 20 V
Technology — Trench (OptiMOS 5, thin-wafer)
Statut RoHS — Compliant

Fiches techniques et ressources

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