ISZ019N03L5SATMA1 vs BSC014N04LSATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de ISZ019N03L5SATMA1 por Infineon e BSC014N04LSATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro ISZ019N03L5SATMA1 BSC014N04LSATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,48 $0,74
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 (<= 40V) —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 22 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 40 A —
RDS(on) at VGS=10V 1.9 mΩ (typical, ID=20A) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V (typical) —
Gate-Source Voltage Rating (VGS) ±20 V —
Total Gate Charge (Qg) 44 nC at VGS=10V —
Input Capacitance (Ciss) 2800 pF at VDS=15V —
Encapsulamento PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm) SuperSO8 (TDSON-8 FL) 5x6 mm
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C (TJ max) -55C to +175C
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (unlimited)
RoHS / REACH Compliant —
Avalanche Rated Yes —
RG-tested 100% —
Series — OptiMOS 5
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 32 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
RDS(on) max at VGS=10 V — 1.4 mOhm
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc — 96 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — 20 V
Technology — Trench (OptiMOS 5, thin-wafer)
Status RoHS — Compliant

Fichas técnicas e recursos

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