ISZ023N06LM6ATMA1 vs ISC011N04NM7VATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de ISZ023N06LM6ATMA1 par Infineon et ISC011N04NM7VATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre ISZ023N06LM6ATMA1 ISC011N04NM7VATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,95 $0,41
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 6 60 V —
Part Number ISZ023N06LM6 —
Orderable Part Number ISZ023N06LM6ATMA1 —
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) Trench MOSFET, silicon
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 24 A —
Pulsed Drain Current (ID, Tc) 149 A —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 100 W —
Boîtier PG-TSDSON-8-34 (Surface Mount) PG-TDSON-8 (source-down)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55C to +175C —
Niveau MSL 1 MSL 1 (per JEDEC J-STD-020)
Statut RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Configuration Single —
Product Family — OptiMOS 7 Power-Transistor
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 38 A
Continuous Drain Current (ID) at TC — 256 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.1 mΩ
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 136 W
Gate Threshold Voltage (Vth) — Up to 3.2 V
Short-Circuit Withstand — Yes (current-limited)
Plage de température de fonctionnement — -55 °C to +175 °C (TJ)
RoHS Compliance — Compliant (per Infineon product page)

Fiches techniques et ressources

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