ISZ023N06LM6ATMA1 vs ISC011N04NM7VATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de ISZ023N06LM6ATMA1 por Infineon e ISC011N04NM7VATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro ISZ023N06LM6ATMA1 ISC011N04NM7VATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,95 $0,41
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 6 60 V —
Part Number ISZ023N06LM6 —
Orderable Part Number ISZ023N06LM6ATMA1 —
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) Trench MOSFET, silicon
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 24 A —
Pulsed Drain Current (ID, Tc) 149 A —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 100 W —
Encapsulamento PG-TSDSON-8-34 (Surface Mount) PG-TDSON-8 (source-down)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de operação -55C to +175C —
Nível MSL 1 MSL 1 (per JEDEC J-STD-020)
Status RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Configuration Single —
Product Family — OptiMOS 7 Power-Transistor
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 38 A
Continuous Drain Current (ID) at TC — 256 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.1 mΩ
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 136 W
Gate Threshold Voltage (Vth) — Up to 3.2 V
Short-Circuit Withstand — Yes (current-limited)
Faixa de temperatura de operação — -55 °C to +175 °C (TJ)
RoHS Compliance — Compliant (per Infineon product page)

Fichas técnicas e recursos

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