ISZ033N03LF2SATMA1 vs BSC0921NDIATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de ISZ033N03LF2SATMA1 par Infineon et BSC0921NDIATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre ISZ033N03LF2SATMA1 BSC0921NDIATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,68 $0,68
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 20 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 109 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 31 A (per channel, package-limited)
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 71 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.35 V max @ 30 uA —
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ] —
Température de jonction en fonctionnement -55 C to +175 C —
Boîtier PG-TSDSON-8 FL (8-pin) PG-TISON-8 (8-pin, exposed pad)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 OptiMOS 25V (N-channel)
Statut RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Configuration — Dual N-Channel MOSFET Array
Continuous Drain Current (ID) — 17 A (per channel)
Total Power Dissipation (PD) — 1 W
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V/4.5V]
Gate Charge (Qg) — Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic)
Output Charge (Qoss) — Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic)
Température de fonctionnement — -55C to +150C (junction)
Niveau MSL — 1 (per Infineon OptiMOS family)
Primary Application — Synchronous buck converters, VRMs, POL regulators

Fiches techniques et ressources

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