ISZ033N03LF2SATMA1 vs ISC052N03LF2SATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de ISZ033N03LF2SATMA1 par Infineon et ISC052N03LF2SATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre ISZ033N03LF2SATMA1 ISC052N03LF2SATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,68 $0,35
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 20 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 109 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 71 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.35 V max @ 30 uA —
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ] —
Température de jonction en fonctionnement -55 C to +175 C —
Boîtier PG-TSDSON-8 FL (8-pin) PG-TDSON-8-62 (TDSON EP)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 Trench MOSFET (OptiMOS 5)
Statut RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 5 30V
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 18 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 74 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 5.2 mΩ
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 3 W
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 52 W
Plage de température de fonctionnement — -55°C to +150°C
Polarity — N-Channel
Nombre de broches — 8
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Fiches techniques et ressources

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