ISZ033N03LF2SATMA1 vs ISC052N03LF2SATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de ISZ033N03LF2SATMA1 por Infineon e ISC052N03LF2SATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro ISZ033N03LF2SATMA1 ISC052N03LF2SATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,68 $0,35
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 20 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 109 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 71 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.35 V max @ 30 uA —
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ] —
Temperatura de junção de operação -55 C to +175 C —
Encapsulamento PG-TSDSON-8 FL (8-pin) PG-TDSON-8-62 (TDSON EP)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 Trench MOSFET (OptiMOS 5)
Status RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 5 30V
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 18 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 74 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 5.2 mΩ
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 3 W
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 52 W
Faixa de temperatura de operação — -55°C to +150°C
Polarity — N-Channel
Contagem de pinos — 8
Nível MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Fichas técnicas e recursos

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