ISZ056N03LF2SATMA1 vs ISC009N03LF2SATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de ISZ056N03LF2SATMA1 par Infineon et ISC009N03LF2SATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre ISZ056N03LF2SATMA1 ISC009N03LF2SATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,49 $1,48
Manufacturer Infineon Technologies —
Series StrongIRFET 2 —
Type de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 16 A 43 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc 72 A 341 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: gate-source voltage max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.35 V (typ) 2.35 V (typ)
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 5.6 mOhm —
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc 52 W 188 W
Plage de température de fonctionnement -55 C to +175 C -55 °C to +175 °C (junction, [DATA_NEEDED: exact operating range from datasheet])
Boîtier PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3x3.3 mm) PG-TDSON-8-62 (SuperSO8 5x6)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant Compliant
Technology — OptiMOS™ trench
On-Resistance RDS(on) max — 0.9 mΩ
Gate Drive Voltage (VGS) — 10 V (typical for rated RDS(on))
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Fiches techniques et ressources

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