ISZ056N03LF2SATMA1 vs ISC009N03LF2SATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de ISZ056N03LF2SATMA1 por Infineon e ISC009N03LF2SATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro ISZ056N03LF2SATMA1 ISC009N03LF2SATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,49 $1,48
Manufacturer Infineon Technologies —
Series StrongIRFET 2 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 16 A 43 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc 72 A 341 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: gate-source voltage max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.35 V (typ) 2.35 V (typ)
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 5.6 mOhm —
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc 52 W 188 W
Faixa de temperatura de operação -55 C to +175 C -55 °C to +175 °C (junction, [DATA_NEEDED: exact operating range from datasheet])
Encapsulamento PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3x3.3 mm) PG-TDSON-8-62 (SuperSO8 5x6)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant Compliant
Technology — OptiMOS™ trench
On-Resistance RDS(on) max — 0.9 mΩ
Gate Drive Voltage (VGS) — 10 V (typical for rated RDS(on))
Nível MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação