ISZ15EP15LMATMA1 vs IPC50N04S5L5R5ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de ISZ15EP15LMATMA1 par Infineon et IPC50N04S5L5R5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre ISZ15EP15LMATMA1 IPC50N04S5L5R5ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,28 $0,36
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS —
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) max -150 V —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 1500 mOhm @ VGS = -10 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 820 mA —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 2.7 A —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 26.3 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Technology OptiMOS trench-gate —
Boîtier PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3 x 3.3 mm) with exposed pad PG-TDSON-8-33 (TDSON EP 8-pin, exposed pad)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C (junction) -55 °C to +175 °C
Statut RoHS Compliant —
Niveau MSL 1 —
Packaging Tape and Reel (T&R) —
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Mode — Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 50 A
Maximum Drain Current (silicon-limited, 25 °C) — 60 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V — 5.5 mΩ
Gate Threshold VGS(th) — Logic Level (enhancement at ≤ 4.5 V VGS)
Power Dissipation (Tc) — 42 W
Thermal Resistance Junction-to-Case RthJC — 3.6 K/W
AEC-Q101 Qualification — Qualified (automotive grade)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1
Peak Reflow Temperature — 260 °C
Avalanche Rating — 100 % Avalanche Tested
RoHS / REACH — RoHS Compliant (Green Product)

Fiches techniques et ressources

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