ISZ15EP15LMATMA1 vs IPC50N04S5L5R5ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von ISZ15EP15LMATMA1 von Infineon und IPC50N04S5L5R5ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter ISZ15EP15LMATMA1 IPC50N04S5L5R5ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,28 $0,36
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS —
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) max -150 V —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 1500 mOhm @ VGS = -10 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 820 mA —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 2.7 A —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 26.3 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Technology OptiMOS trench-gate —
Gehäuse PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3 x 3.3 mm) with exposed pad PG-TDSON-8-33 (TDSON EP 8-pin, exposed pad)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55C to +150C (junction) -55 °C to +175 °C
RoHS-Status Compliant —
MSL-Level 1 —
Packaging Tape and Reel (T&R) —
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Mode — Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 50 A
Maximum Drain Current (silicon-limited, 25 °C) — 60 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V — 5.5 mΩ
Gate Threshold VGS(th) — Logic Level (enhancement at ≤ 4.5 V VGS)
Power Dissipation (Tc) — 42 W
Thermal Resistance Junction-to-Case RthJC — 3.6 K/W
AEC-Q101 Qualification — Qualified (automotive grade)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1
Peak Reflow Temperature — 260 °C
Avalanche Rating — 100 % Avalanche Tested
RoHS / REACH — RoHS Compliant (Green Product)

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern