JMTG100N06A vs JMTG070N06A Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de JMTG100N06A par Jiejie Micro et JMTG070N06A par Jiejie Micro. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre JMTG100N06A JMTG070N06A
Marque Jiejie Micro Jiejie Micro
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,15 $0,45
Manufacturer Jiangsu JieJie Microelectronics Co., Ltd Jiejie Micro (JJW)
Type de transistor N-Channel Power Trench MOSFET —
Drain-Source Voltage V(DSS) 60 V —
Continuous Drain Current I(D) 55 A (at V(GS)=10 V, T(C)=25 °C) —
R(DS(on)) Typ @ V(GS)=10 V 7.7 mΩ —
R(DS(on)) Typ @ V(GS)=4.5 V 8.9 mΩ —
Gate Threshold Voltage V(GS(th)) Typ 1.5 V —
Boîtier PDFN5x6-8L (Power DFN 5×6 mm, 8 leads) PDFN5x6-8L (Power DFN 5x6 mm, 8 leads)
Type de montage Surface Mount Surface Mount (SMD)
Plating Pb-free —
Sans halogène Yes —
RoHS Compliant —
UIS (Avalanche) Tested 100 % —
V(DS) Tested 100 % —
EAS Test Condition T(J)=25 °C, V(DD)=30 V, V(G)=10 V, L=0.5 mH, R(g)=25 Ω, I(AS)=22 A —
Primary Applications Load Switch, PWM, DC-DC, Motor Drive —
Part Number — JMTG070N06A
Polarity / Type — N-channel Enhancement Mode
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) — 70 A
On-Resistance RDS(ON) — < 6 mOhm @ VGS = 10 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Technology — Advanced Trench MOSFET
Single Pulse Avalanche Energy (EAS) — IAS = 27 A at VDD = 30 V, L = 0.5 mH, Rg = 25 ohm (TJ = 25 degC)
Lead Status — Lead free / RoHS compliant
Plage de température de fonctionnement — [DATA_NEEDED: TJ max and operating range]
Thermal Resistance RthJA — [DATA_NEEDED: theta_JA]
Configuration — Single N-channel MOSFET

Fiches techniques et ressources

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