JMTG100N06A vs JMTG070N06A Comparação

Comparação detalhada lado a lado de JMTG100N06A por Jiejie Micro e JMTG070N06A por Jiejie Micro. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro JMTG100N06A JMTG070N06A
Marca Jiejie Micro Jiejie Micro
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,15 $0,45
Manufacturer Jiangsu JieJie Microelectronics Co., Ltd Jiejie Micro (JJW)
Tipo de transistor N-Channel Power Trench MOSFET —
Drain-Source Voltage V(DSS) 60 V —
Continuous Drain Current I(D) 55 A (at V(GS)=10 V, T(C)=25 °C) —
R(DS(on)) Typ @ V(GS)=10 V 7.7 mΩ —
R(DS(on)) Typ @ V(GS)=4.5 V 8.9 mΩ —
Gate Threshold Voltage V(GS(th)) Typ 1.5 V —
Encapsulamento PDFN5x6-8L (Power DFN 5×6 mm, 8 leads) PDFN5x6-8L (Power DFN 5x6 mm, 8 leads)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount (SMD)
Plating Pb-free —
Livre de halogênio Yes —
RoHS Compliant —
UIS (Avalanche) Tested 100 % —
V(DS) Tested 100 % —
EAS Test Condition T(J)=25 °C, V(DD)=30 V, V(G)=10 V, L=0.5 mH, R(g)=25 Ω, I(AS)=22 A —
Primary Applications Load Switch, PWM, DC-DC, Motor Drive —
Part Number — JMTG070N06A
Polarity / Type — N-channel Enhancement Mode
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) — 70 A
On-Resistance RDS(ON) — < 6 mOhm @ VGS = 10 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Technology — Advanced Trench MOSFET
Single Pulse Avalanche Energy (EAS) — IAS = 27 A at VDD = 30 V, L = 0.5 mH, Rg = 25 ohm (TJ = 25 degC)
Lead Status — Lead free / RoHS compliant
Faixa de temperatura de operação — [DATA_NEEDED: TJ max and operating range]
Thermal Resistance RthJA — [DATA_NEEDED: theta_JA]
Configuration — Single N-channel MOSFET

Fichas técnicas e recursos

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