K3KL2L20DM-JGCT vs K3KL8L80CM-MGCT Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K3KL2L20DM-JGCT par Samsung Electronics et K3KL8L80CM-MGCT par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K3KL2L20DM-JGCT | K3KL8L80CM-MGCT |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | DRAM |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $20,80 | $0,00 |
| Type de mémoire | LPDDR5X SDRAM | LPDDR5X SDRAM |
| Density | 48 Gb | 32 Gbit (4 GB) |
| Organisation de la mémoire | x64 | x32 |
| Débit de données | 7500 Mbps | — |
| Supply Voltage (VDD1) | 1.8 V | — |
| Supply Voltage (VDD2) | 1.05 V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 0.5 V | — |
| Core Voltage Rail | 0.9 V | — |
| Température de fonctionnement | -25C to +85C | -25C to +85C |
| Boîtier | 441-ball FBGA | 315-ball FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Interface | LPDDR5X (JEDEC low-power DRAM interface) | LPDDR5X (JEDEC LPDDR5 extension) |
| Product Status | Mass Production | — |
| Generation | LPDDR5X (1.25x speed, 25% better power efficiency vs LPDDR5) | — |
| Application Segment | AI devices, automotive, mobile | Mobile, Automotive, On-device AI, PC |
| Statut RoHS | unknown | Compliant (per JLCPCB listing) |
| Max Data Rate | — | 7500 Mbps |
| Clock Frequency | — | 3750 MHz |
| Core Supply Voltage (VDD) | — | 1.05 V |
| I/O Supply Voltage (VDDQ) | — | 900 mV (500 mV low-power mode) |
| VDD2 Supply Voltage | — | 1.8 V |
| Power Efficiency | — | ~20-25% improvement vs LPDDR5 (per Samsung) |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |