K3KL2L20DM-JGCT vs K3KL8L80CM-MGCT Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K3KL2L20DM-JGCT von Samsung Electronics und K3KL8L80CM-MGCT von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K3KL2L20DM-JGCT | K3KL8L80CM-MGCT |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | DRAM |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $20,80 | $0,00 |
| Speichertyp | LPDDR5X SDRAM | LPDDR5X SDRAM |
| Density | 48 Gb | 32 Gbit (4 GB) |
| Speicherorganisation | x64 | x32 |
| Datenrate | 7500 Mbps | — |
| Supply Voltage (VDD1) | 1.8 V | — |
| Supply Voltage (VDD2) | 1.05 V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 0.5 V | — |
| Core Voltage Rail | 0.9 V | — |
| Betriebstemperatur | -25C to +85C | -25C to +85C |
| Gehäuse | 441-ball FBGA | 315-ball FBGA |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Schnittstelle | LPDDR5X (JEDEC low-power DRAM interface) | LPDDR5X (JEDEC LPDDR5 extension) |
| Product Status | Mass Production | — |
| Generation | LPDDR5X (1.25x speed, 25% better power efficiency vs LPDDR5) | — |
| Application Segment | AI devices, automotive, mobile | Mobile, Automotive, On-device AI, PC |
| RoHS-Status | unknown | Compliant (per JLCPCB listing) |
| Max Data Rate | — | 7500 Mbps |
| Clock Frequency | — | 3750 MHz |
| Core Supply Voltage (VDD) | — | 1.05 V |
| I/O Supply Voltage (VDDQ) | — | 900 mV (500 mV low-power mode) |
| VDD2 Supply Voltage | — | 1.8 V |
| Power Efficiency | — | ~20-25% improvement vs LPDDR5 (per Samsung) |
| MSL-Level | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |