K3KL3L30CM-BGCT vs K3KL2L20DM-JGCT Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K3KL3L30CM-BGCT par Samsung Electronics et K3KL2L20DM-JGCT par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K3KL3L30CM-BGCT | K3KL2L20DM-JGCT |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,00 | $20,80 |
| Type de mémoire | LPDDR5X SDRAM | LPDDR5X SDRAM |
| Density | 64 Gbit | 48 Gb |
| Organisation de la mémoire | x64 | x64 |
| Speed Grade | LPDDR5X-7500 (7500 MT/s) | — |
| Technology | Stacked DRAM die, mobile BGA | — |
| Type de montage | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| Boîtier | [DATA_NEEDED: exact package code and ball count] | 441-ball FBGA |
| Core Voltage | [DATA_NEEDED: VDD core voltage] | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | [DATA_NEEDED: VDDQ voltage] | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -25C to +85C |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh scheme] | — |
| Standards Compliance | JEDEC LPDDR5X specification | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | unknown |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Application Class | Mobile / embedded main memory | — |
| Débit de données | — | 7500 Mbps |
| Supply Voltage (VDD1) | — | 1.8 V |
| Supply Voltage (VDD2) | — | 1.05 V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 0.5 V |
| Core Voltage Rail | — | 0.9 V |
| Interface | — | LPDDR5X (JEDEC low-power DRAM interface) |
| Product Status | — | Mass Production |
| Generation | — | LPDDR5X (1.25x speed, 25% better power efficiency vs LPDDR5) |
| Application Segment | — | AI devices, automotive, mobile |