K3KL7L70EM-MGCU vs K3KL8L80CM-MGCT Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K3KL7L70EM-MGCU par Samsung Electronics et K3KL8L80CM-MGCT par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K3KL7L70EM-MGCU | K3KL8L80CM-MGCT |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | DRAM |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $12,00 | $0,00 |
| Type de mémoire | LPDDR5X SDRAM | LPDDR5X SDRAM |
| Density | 12 Gbit | 32 Gbit (4 GB) |
| Organisation de la mémoire | x32 | x32 |
| Boîtier | 315-ball FBGA | 315-ball FBGA |
| Type de montage | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| Product Status | Mass Production | — |
| Interface | LPDDR5X | LPDDR5X (JEDEC LPDDR5 extension) |
| Manufacturer | Samsung Semiconductor | — |
| Supply Voltage (Core) | [DATA_NEEDED: core supply voltage] | — |
| Débit de données | [DATA_NEEDED: data rate in Mbps/pin] | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -25C to +85C |
| Refresh | Self-refresh supported (per LPDDR5X family) | — |
| Power Modes | Deep sleep, self refresh, power down (per LPDDR5X family) | — |
| Fab Location | Johor, Malaysia (listed by distributor) | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant (per JLCPCB listing) |
| Max Data Rate | — | 7500 Mbps |
| Clock Frequency | — | 3750 MHz |
| Core Supply Voltage (VDD) | — | 1.05 V |
| I/O Supply Voltage (VDDQ) | — | 900 mV (500 mV low-power mode) |
| VDD2 Supply Voltage | — | 1.8 V |
| Application Segment | — | Mobile, Automotive, On-device AI, PC |
| Power Efficiency | — | ~20-25% improvement vs LPDDR5 (per Samsung) |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |