K3KL8L80QM-MUCT vs K3KL8L80CM-MGCT Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K3KL8L80QM-MUCT par Samsung Electronics et K3KL8L80CM-MGCT par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K3KL8L80QM-MUCT | K3KL8L80CM-MGCT |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | DRAM |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $13,40 | $0,00 |
| Type de mémoire | LPDDR5X SDRAM | LPDDR5X SDRAM |
| Density | 32 Gb (4 GB) | 32 Gbit (4 GB) |
| Organisation de la mémoire | [DATA_NEEDED: organization (xN bit width)] | x32 |
| Débit de données | [DATA_NEEDED: data rate per pin (Gbps)] | — |
| Supply Voltage Class | [DATA_NEEDED: VDD/VDDQ voltage] | — |
| Speed Grade | QM (per Samsung part numbering) | — |
| Boîtier | FBGA (original package, 315-ball class) | 315-ball FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -25C to +85C |
| Interface | LPDDR5X channel interface | LPDDR5X (JEDEC LPDDR5 extension) |
| Series | LPDDR5X | — |
| Marque | Samsung Semiconductor | — |
| Packaging Suffix | MUCT | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant (per JLCPCB listing) |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| Application Segment | Mobile / AI edge computing | Mobile, Automotive, On-device AI, PC |
| Max Data Rate | — | 7500 Mbps |
| Clock Frequency | — | 3750 MHz |
| Core Supply Voltage (VDD) | — | 1.05 V |
| I/O Supply Voltage (VDDQ) | — | 900 mV (500 mV low-power mode) |
| VDD2 Supply Voltage | — | 1.8 V |
| Power Efficiency | — | ~20-25% improvement vs LPDDR5 (per Samsung) |