K3KL8L80QM-MUCT vs K3KL8L80CM-MGCT Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K3KL8L80QM-MUCT por Samsung Electronics e K3KL8L80CM-MGCT por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | K3KL8L80QM-MUCT | K3KL8L80CM-MGCT |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | DRAM |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $13,40 | $0,00 |
| Tipo de memória | LPDDR5X SDRAM | LPDDR5X SDRAM |
| Density | 32 Gb (4 GB) | 32 Gbit (4 GB) |
| Organização da memória | [DATA_NEEDED: organization (xN bit width)] | x32 |
| Taxa de dados | [DATA_NEEDED: data rate per pin (Gbps)] | — |
| Supply Voltage Class | [DATA_NEEDED: VDD/VDDQ voltage] | — |
| Speed Grade | QM (per Samsung part numbering) | — |
| Encapsulamento | FBGA (original package, 315-ball class) | 315-ball FBGA |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de operação | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -25C to +85C |
| Interface | LPDDR5X channel interface | LPDDR5X (JEDEC LPDDR5 extension) |
| Series | LPDDR5X | — |
| Marca | Samsung Semiconductor | — |
| Packaging Suffix | MUCT | — |
| Status RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant (per JLCPCB listing) |
| Nível MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| Application Segment | Mobile / AI edge computing | Mobile, Automotive, On-device AI, PC |
| Max Data Rate | — | 7500 Mbps |
| Clock Frequency | — | 3750 MHz |
| Core Supply Voltage (VDD) | — | 1.05 V |
| I/O Supply Voltage (VDDQ) | — | 900 mV (500 mV low-power mode) |
| VDD2 Supply Voltage | — | 1.8 V |
| Power Efficiency | — | ~20-25% improvement vs LPDDR5 (per Samsung) |