K4A4G085WD-BCTD vs H5AN4G8NBJR-PBC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A4G085WD-BCTD par Samsung Electronics et H5AN4G8NBJR-PBC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4A4G085WD-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM 512Mx8 2666Mbps | Samsung
K4A4G085WD-BCTD ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K4A4G085WD-BCTD | H5AN4G8NBJR-PBC |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,05 | $2,20 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Die Generation | D-die | — |
| Density | 4 Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Débit de données | 2666 Mbps/pin | — |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | — |
| Température de fonctionnement | 0C to +85C | — |
| Boîtier | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Interface | DDR4 (JEDEC-compatible) | — |
| Speed Class | DDR4-2666 (PC4-21300) | — |
| Bank Architecture | DDR4 bank-group architecture | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| DLL | Yes | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] | — |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Memory Density | — | 4 Gbit |
| Type d'interface | — | Parallel, JEDEC DDR4 |
| Supply Voltage VDD | — | 1.2 V |
| Supply Voltage VDDQ | — | 1.2 V |
| Speed Grade | — | PBC |
| Clock Frequency | — | [DATA_NEEDED: Clock Frequency] |
| CAS Latency (CL) | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Normal Operating Case Temperature | — | 0C to 85C |
| Extended Temperature Range | — | up to 95C case (with increased refresh) |
| Lead Free | — | Yes |
| Sans halogène | — | Yes |
| Refresh | — | 8n prefetch, standard/auto refresh per DDR4 JEDEC |