K4A4G165WD-BCPB vs K4A4G165WE-BCTD Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A4G165WD-BCPB par Samsung Electronics et K4A4G165WE-BCTD par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4A4G165WD-BCPB | K4A4G165WE-BCTD |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | DRAM |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $3,10 | $11,38 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) |
| Density | 4 Gbit | — |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | — |
| Débit de données | 2133 MT/s | — |
| Core Voltage | 1.2 V | — |
| Boîtier | FBGA-96 | FBGA-96 (TFBGA) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Die Generation | D-die | E-die |
| Bank Architecture | 4 bank groups x 4 banks | — |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency at 2133 speed bin] | — |
| Burst Length | 8 (BL8, fixed/chop) | BL8 (JEDEC DDR4) |
| Interface | DDR4 (synchronous, source-synchronous strobe) | Parallel, x16 |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +85C |
| Pb-Free | Yes (per Samsung part-numbering suffix) | — |
| Statut RoHS | Compliant (lead-free suffix) | Compliant (per JLCPCB listing) |
| Refresh | Self-refresh supported (TCSR per DDR4 standard features) | — |
| Taille de mémoire | — | 4 Gbit |
| Memory Organization | — | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Terminal Count | — | 96 |
| Speed Grade | — | [DATA_NEEDED: max data rate / CAS latency for -BCTD suffix] |
| Product Status | — | Active |
| Datasheet Revision | — | K4A4G165WE Rev. 1.4, Jun. 2016 |
| Bank Group Architecture | — | Yes (DDR4) |