K4A4G165WD-BCPB vs K4A4G165WE-BCTD 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4A4G165WD-BCPB 제조: Samsung Electronics 및 K4A4G165WE-BCTD 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4A4G165WD-BCPB | K4A4G165WE-BCTD |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | DRAM |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $3.10 | $11.38 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) |
| Density | 4 Gbit | — |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | — |
| 데이터 속도 | 2133 MT/s | — |
| Core Voltage | 1.2 V | — |
| 패키지 | FBGA-96 | FBGA-96 (TFBGA) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Die Generation | D-die | E-die |
| Bank Architecture | 4 bank groups x 4 banks | — |
| CAS 레이턴시 | [DATA_NEEDED: CAS Latency at 2133 speed bin] | — |
| Burst Length | 8 (BL8, fixed/chop) | BL8 (JEDEC DDR4) |
| 인터페이스 | DDR4 (synchronous, source-synchronous strobe) | Parallel, x16 |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +85C |
| Pb-Free | Yes (per Samsung part-numbering suffix) | — |
| RoHS 상태 | Compliant (lead-free suffix) | Compliant (per JLCPCB listing) |
| Refresh | Self-refresh supported (TCSR per DDR4 standard features) | — |
| 메모리 크기 | — | 4 Gbit |
| Memory Organization | — | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Terminal Count | — | 96 |
| Speed Grade | — | [DATA_NEEDED: max data rate / CAS latency for -BCTD suffix] |
| Product Status | — | Active |
| Datasheet Revision | — | K4A4G165WE Rev. 1.4, Jun. 2016 |
| Bank Group Architecture | — | Yes (DDR4) |