K4A4G165WD-BCPB vs MT40A256M16GE-075E:B Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A4G165WD-BCPB par Samsung Electronics et MT40A256M16GE-075E:B par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Micron Technology
MT40A256M16GE-075E:B - 4Gb DDR4 SDRAM 2666 MT/s | Micron
MT40A256M16GE-075E:B ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K4A4G165WD-BCPB | MT40A256M16GE-075E:B |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $3,10 | $3,95 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | — |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Débit de données | 2133 MT/s | 2666 MT/s (DDR4-2666) |
| Core Voltage | 1.2 V | — |
| Boîtier | FBGA-96 | 96-FBGA (9 x 14 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Die Generation | D-die | — |
| Bank Architecture | 4 bank groups x 4 banks | — |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency at 2133 speed bin] | — |
| Burst Length | 8 (BL8, fixed/chop) | — |
| Interface | DDR4 (synchronous, source-synchronous strobe) | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range for standard grade] |
| Pb-Free | Yes (per Samsung part-numbering suffix) | — |
| Statut RoHS | Compliant (lead-free suffix) | — |
| Refresh | Self-refresh supported (TCSR per DDR4 standard features) | 64 ms / 8192-cycle; 32 ms / 8192-cycle at 95C |
| Taille de mémoire | — | 4 Gbit |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Clock Frequency | — | 1.33 GHz |
| VDD / VDDQ | — | 1.2 V +/-60 mV |
| VPP | — | 2.5 V, -125 mV/+250 mV |
| Internal Banks | — | 16 |
| I/O Type | — | 1.2 V pseudo open-drain |
| VREFDQ | — | On-die, internal, adjustable generation |
| Special Features | — | Temperature controlled refresh (TCR) |
| Access Time | — | [DATA_NEEDED: CAS latency / access time] |