K4A4G165WD-BCPB vs MT40A256M16GE-075E:B 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4A4G165WD-BCPB 제조: Samsung Electronics 및 MT40A256M16GE-075E:B 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Micron Technology
MT40A256M16GE-075E:B - 4Gb DDR4 SDRAM 2666 MT/s | Micron
MT40A256M16GE-075E:B ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | K4A4G165WD-BCPB | MT40A256M16GE-075E:B |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $3.10 | $3.95 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | — |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| 데이터 속도 | 2133 MT/s | 2666 MT/s (DDR4-2666) |
| Core Voltage | 1.2 V | — |
| 패키지 | FBGA-96 | 96-FBGA (9 x 14 mm) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Die Generation | D-die | — |
| Bank Architecture | 4 bank groups x 4 banks | — |
| CAS 레이턴시 | [DATA_NEEDED: CAS Latency at 2133 speed bin] | — |
| Burst Length | 8 (BL8, fixed/chop) | — |
| 인터페이스 | DDR4 (synchronous, source-synchronous strobe) | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range for standard grade] |
| Pb-Free | Yes (per Samsung part-numbering suffix) | — |
| RoHS 상태 | Compliant (lead-free suffix) | — |
| Refresh | Self-refresh supported (TCSR per DDR4 standard features) | 64 ms / 8192-cycle; 32 ms / 8192-cycle at 95C |
| 메모리 크기 | — | 4 Gbit |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Clock Frequency | — | 1.33 GHz |
| VDD / VDDQ | — | 1.2 V +/-60 mV |
| VPP | — | 2.5 V, -125 mV/+250 mV |
| Internal Banks | — | 16 |
| I/O Type | — | 1.2 V pseudo open-drain |
| VREFDQ | — | On-die, internal, adjustable generation |
| Special Features | — | Temperature controlled refresh (TCR) |
| Access Time | — | [DATA_NEEDED: CAS latency / access time] |