K4A4G165WD-BCRC vs K4A4G165WE-BCTD Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A4G165WD-BCRC par Samsung Electronics et K4A4G165WE-BCTD par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4A4G165WD-BCRC | K4A4G165WE-BCTD |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | DRAM |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $5,10 | $11,38 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) |
| Density | 4 Gbit | — |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | — |
| Speed Bin | DDR4-2400 (BCRC) | — |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | — |
| Boîtier | FBGA-96 | FBGA-96 (TFBGA) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Process Generation | Samsung D-die | — |
| Type d'interface | DDR4 (double data rate, parallel) | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +85C |
| Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Compliant (per JLCPCB listing) |
| Package Dimensions | [DATA_NEEDED: package dimensions] | — |
| Taille de mémoire | — | 4 Gbit |
| Memory Organization | — | 256M x 16 |
| Interface | — | Parallel, x16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Die Generation | — | E-die |
| Terminal Count | — | 96 |
| Speed Grade | — | [DATA_NEEDED: max data rate / CAS latency for -BCTD suffix] |
| Product Status | — | Active |
| Datasheet Revision | — | K4A4G165WE Rev. 1.4, Jun. 2016 |
| Burst Length | — | BL8 (JEDEC DDR4) |
| Bank Group Architecture | — | Yes (DDR4) |