K4A4G165WD-BCRC vs K4A4G165WE-BCTD Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4A4G165WD-BCRC por Samsung Electronics e K4A4G165WE-BCTD por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | K4A4G165WD-BCRC | K4A4G165WE-BCTD |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | DRAM |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $5,10 | $11,38 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) |
| Density | 4 Gbit | — |
| Organização da memória | 256M x 16 | — |
| Speed Bin | DDR4-2400 (BCRC) | — |
| Tensão de alimentação | 1.2 V | — |
| Encapsulamento | FBGA-96 | FBGA-96 (TFBGA) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Process Generation | Samsung D-die | — |
| Tipo de interface | DDR4 (double data rate, parallel) | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Temperatura de operação | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +85C |
| Status RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Compliant (per JLCPCB listing) |
| Package Dimensions | [DATA_NEEDED: package dimensions] | — |
| Tamanho da memória | — | 4 Gbit |
| Memory Organization | — | 256M x 16 |
| Interface | — | Parallel, x16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Die Generation | — | E-die |
| Terminal Count | — | 96 |
| Speed Grade | — | [DATA_NEEDED: max data rate / CAS latency for -BCTD suffix] |
| Product Status | — | Active |
| Datasheet Revision | — | K4A4G165WE Rev. 1.4, Jun. 2016 |
| Burst Length | — | BL8 (JEDEC DDR4) |
| Bank Group Architecture | — | Yes (DDR4) |