K4A4G165WD-BCRC vs K4A4G165WF-BCRC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A4G165WD-BCRC par Samsung Electronics et K4A4G165WF-BCRC par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4A4G165WF-BCRC - 4Gb DDR4-2400 SDRAM | Samsung Electronics
K4A4G165WF-BCRC ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K4A4G165WD-BCRC | K4A4G165WF-BCRC |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | DRAM |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $5,10 | $17,08 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gb |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Speed Bin | DDR4-2400 (BCRC) | — |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | 1.2 V |
| Boîtier | FBGA-96 | FBGA-96 (TFBGA) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Process Generation | Samsung D-die | — |
| Type d'interface | DDR4 (double data rate, parallel) | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | Supported |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | Supported |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +95C |
| Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Compliant |
| Package Dimensions | [DATA_NEEDED: package dimensions] | — |
| Speed Grade | — | DDR4-2400 |
| Operating Voltage Range | — | 1.14 V to 1.26 V |
| Die Type | — | Samsung 4Gb F-die |
| Bank / Bank Group Architecture | — | 8 banks, bank groups |
| Data Mask | — | Supported (DM) |
| CRC / CA Parity | — | Supported |
| Dynamic ODT | — | Supported |
| Asynchronous Reset | — | Supported |