K4A4G165WD-BCRC vs K4A4G165WF-BCRC 비교
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Samsung Electronics
K4A4G165WF-BCRC - 4Gb DDR4-2400 SDRAM | Samsung Electronics
K4A4G165WF-BCRC ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | K4A4G165WD-BCRC | K4A4G165WF-BCRC |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | DRAM |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $5.10 | $17.08 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gb |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Speed Bin | DDR4-2400 (BCRC) | — |
| 공급 전압 | 1.2 V | 1.2 V |
| 패키지 | FBGA-96 | FBGA-96 (TFBGA) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Process Generation | Samsung D-die | — |
| 인터페이스 유형 | DDR4 (double data rate, parallel) | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | Supported |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | Supported |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +95C |
| RoHS 상태 | Lead free / RoHS Compliant | Compliant |
| Package Dimensions | [DATA_NEEDED: package dimensions] | — |
| Speed Grade | — | DDR4-2400 |
| Operating Voltage Range | — | 1.14 V to 1.26 V |
| Die Type | — | Samsung 4Gb F-die |
| Bank / Bank Group Architecture | — | 8 banks, bank groups |
| Data Mask | — | Supported (DM) |
| CRC / CA Parity | — | Supported |
| Dynamic ODT | — | Supported |
| Asynchronous Reset | — | Supported |