K4A4G165WD-BCRC vs K4A4G165WF-BCTD Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A4G165WD-BCRC par Samsung Electronics et K4A4G165WF-BCTD par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4A4G165WD-BCRC | K4A4G165WF-BCTD |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $5,10 | $8,20 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | — |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Speed Bin | DDR4-2400 (BCRC) | — |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | — |
| Boîtier | FBGA-96 | FBGA-96 (PBGA96) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Process Generation | Samsung D-die | — |
| Type d'interface | DDR4 (double data rate, parallel) | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +95C |
| Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Compliant |
| Package Dimensions | [DATA_NEEDED: package dimensions] | — |
| Taille de mémoire | — | 4 Gbit |
| Speed (Data Rate) | — | 2666 Mbps (DDR4-2666) |
| Supply Voltage VDD | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| I/O Voltage VDDQ | — | 1.2 V |
| Interface | — | SSTL-12 |
| Caractéristiques | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask |
| Technology | — | Samsung F-die CMOS |
| Bank Groups | — | 4 (x16 configuration) |
| Refresh | — | Self-refresh and auto-refresh supported |