K4A4G165WD-BCRC vs K4A4G165WF-BCTD Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4A4G165WD-BCRC por Samsung Electronics e K4A4G165WF-BCTD por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | K4A4G165WD-BCRC | K4A4G165WF-BCTD |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $5,10 | $8,20 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | — |
| Organização da memória | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Speed Bin | DDR4-2400 (BCRC) | — |
| Tensão de alimentação | 1.2 V | — |
| Encapsulamento | FBGA-96 | FBGA-96 (PBGA96) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Process Generation | Samsung D-die | — |
| Tipo de interface | DDR4 (double data rate, parallel) | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Temperatura de operação | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +95C |
| Status RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Compliant |
| Package Dimensions | [DATA_NEEDED: package dimensions] | — |
| Tamanho da memória | — | 4 Gbit |
| Speed (Data Rate) | — | 2666 Mbps (DDR4-2666) |
| Supply Voltage VDD | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| I/O Voltage VDDQ | — | 1.2 V |
| Interface | — | SSTL-12 |
| Recursos | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask |
| Technology | — | Samsung F-die CMOS |
| Bank Groups | — | 4 (x16 configuration) |
| Refresh | — | Self-refresh and auto-refresh supported |