K4A4G165WD-BCTD vs K4A4G165WE-BCTD Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A4G165WD-BCTD par Samsung Electronics et K4A4G165WE-BCTD par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4A4G165WD-BCTD | K4A4G165WE-BCTD |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | DRAM |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $19,00 | $11,38 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) |
| Density | 4 Gbit | — |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | — |
| Débit de données | 2666 Mbps/pin (-BCTD speed grade) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Core Supply (VPP) | 2.5 V | — |
| Interface | SSTL-12 | Parallel, x16 |
| Data Mask | Yes (DM per byte lane) | — |
| Bank Architecture | 16 banks / 4 bank groups | — |
| Boîtier | 96-ball FBGA | FBGA-96 (TFBGA) |
| Type de montage | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | 0C to +85C (commercial) | 0C to +85C |
| On-Die Termination | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes (external RZQ resistor) | — |
| CRC / CA Parity | CRC read/write support | — |
| Reset | Asynchronous reset (RESET_n) | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant (per JLCPCB listing) |
| Taille de mémoire | — | 4 Gbit |
| Memory Organization | — | 256M x 16 |
| Die Generation | — | E-die |
| Terminal Count | — | 96 |
| Speed Grade | — | [DATA_NEEDED: max data rate / CAS latency for -BCTD suffix] |
| Product Status | — | Active |
| Datasheet Revision | — | K4A4G165WE Rev. 1.4, Jun. 2016 |
| Burst Length | — | BL8 (JEDEC DDR4) |
| Bank Group Architecture | — | Yes (DDR4) |