K4A4G165WD-BCTD vs K4A4G165WE-BCTD Сравнение

Подробное сравнение бок о бок K4A4G165WD-BCTD от Samsung Electronics и K4A4G165WE-BCTD от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Samsung Electronics
K4A4G165WD-BCTD K4A4G165WD-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM x16 2666Mbps | Samsung

K4A4G165WD-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM x16 2666Mbps | Samsung

K4A4G165WD-BCTD ✓ Активен
Samsung Electronics
K4A4G165WE-BCTD K4A4G165WE-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM 256Mx16 1.2V | Samsung

K4A4G165WE-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM 256Mx16 1.2V | Samsung

K4A4G165WE-BCTD ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр K4A4G165WD-BCTD K4A4G165WE-BCTD
Бренд Samsung Electronics Samsung Electronics
Категория Memory ICs DRAM
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $19,00 $11,38
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (volatile DRAM)
Density 4 Gbit —
Организация памяти 256M x 16 —
Скорость передачи данных 2666 Mbps/pin (-BCTD speed grade) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V (1.14 V to 1.26 V)
Core Supply (VPP) 2.5 V —
Интерфейс SSTL-12 Parallel, x16
Data Mask Yes (DM per byte lane) —
Bank Architecture 16 banks / 4 bank groups —
Корпус 96-ball FBGA FBGA-96 (TFBGA)
Тип монтажа Surface Mount (BGA) Surface Mount
Рабочая температура 0C to +85C (commercial) 0C to +85C
On-Die Termination Dynamic ODT —
ZQ Calibration Yes (external RZQ resistor) —
CRC / CA Parity CRC read/write support —
Reset Asynchronous reset (RESET_n) —
Статус RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (per JLCPCB listing)
Размер памяти — 4 Gbit
Memory Organization — 256M x 16
Die Generation — E-die
Terminal Count — 96
Speed Grade — [DATA_NEEDED: max data rate / CAS latency for -BCTD suffix]
Product Status — Active
Datasheet Revision — K4A4G165WE Rev. 1.4, Jun. 2016
Burst Length — BL8 (JEDEC DDR4)
Bank Group Architecture — Yes (DDR4)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену