K4A4G165WF-BCTD vs K4A4G165WD-BCPB Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A4G165WF-BCTD par Samsung Electronics et K4A4G165WD-BCPB par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4A4G165WF-BCTD | K4A4G165WD-BCPB |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $8,20 | $3,10 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Taille de mémoire | 4 Gbit | — |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Speed (Data Rate) | 2666 Mbps (DDR4-2666) | — |
| Supply Voltage VDD | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | — |
| I/O Voltage VDDQ | 1.2 V | — |
| Interface | SSTL-12 | DDR4 (synchronous, source-synchronous strobe) |
| Boîtier | FBGA-96 (PBGA96) | FBGA-96 |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | 0C to +95C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Caractéristiques | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask | — |
| Technology | Samsung F-die CMOS | — |
| Bank Groups | 4 (x16 configuration) | — |
| Refresh | Self-refresh and auto-refresh supported | Self-refresh supported (TCSR per DDR4 standard features) |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant (lead-free suffix) |
| Density | — | 4 Gbit |
| Débit de données | — | 2133 MT/s |
| Core Voltage | — | 1.2 V |
| Die Generation | — | D-die |
| Bank Architecture | — | 4 bank groups x 4 banks |
| Latence CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency at 2133 speed bin] |
| Burst Length | — | 8 (BL8, fixed/chop) |
| Pb-Free | — | Yes (per Samsung part-numbering suffix) |