K4A4G165WF-BCTD vs K4A4G165WD-BCPB 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4A4G165WF-BCTD 제조: Samsung Electronics 및 K4A4G165WD-BCPB 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4A4G165WF-BCTD | K4A4G165WD-BCPB |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $8.20 | $3.10 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| 메모리 크기 | 4 Gbit | — |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Speed (Data Rate) | 2666 Mbps (DDR4-2666) | — |
| Supply Voltage VDD | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | — |
| I/O Voltage VDDQ | 1.2 V | — |
| 인터페이스 | SSTL-12 | DDR4 (synchronous, source-synchronous strobe) |
| 패키지 | FBGA-96 (PBGA96) | FBGA-96 |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 | 0C to +95C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| 특징 | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask | — |
| Technology | Samsung F-die CMOS | — |
| Bank Groups | 4 (x16 configuration) | — |
| Refresh | Self-refresh and auto-refresh supported | Self-refresh supported (TCSR per DDR4 standard features) |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant (lead-free suffix) |
| Density | — | 4 Gbit |
| 데이터 속도 | — | 2133 MT/s |
| Core Voltage | — | 1.2 V |
| Die Generation | — | D-die |
| Bank Architecture | — | 4 bank groups x 4 banks |
| CAS 레이턴시 | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency at 2133 speed bin] |
| Burst Length | — | 8 (BL8, fixed/chop) |
| Pb-Free | — | Yes (per Samsung part-numbering suffix) |