K4A4G165WF-BCTD vs K4A4G165WE-BCTD Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A4G165WF-BCTD par Samsung Electronics et K4A4G165WE-BCTD par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4A4G165WF-BCTD | K4A4G165WE-BCTD |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | DRAM |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $8,20 | $11,38 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) |
| Taille de mémoire | 4 Gbit | 4 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | — |
| Speed (Data Rate) | 2666 Mbps (DDR4-2666) | — |
| Supply Voltage VDD | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | — |
| I/O Voltage VDDQ | 1.2 V | — |
| Interface | SSTL-12 | Parallel, x16 |
| Boîtier | FBGA-96 (PBGA96) | FBGA-96 (TFBGA) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | 0C to +95C | 0C to +85C |
| Caractéristiques | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask | — |
| Technology | Samsung F-die CMOS | — |
| Bank Groups | 4 (x16 configuration) | — |
| Refresh | Self-refresh and auto-refresh supported | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant (per JLCPCB listing) |
| Memory Organization | — | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Die Generation | — | E-die |
| Terminal Count | — | 96 |
| Speed Grade | — | [DATA_NEEDED: max data rate / CAS latency for -BCTD suffix] |
| Product Status | — | Active |
| Datasheet Revision | — | K4A4G165WE Rev. 1.4, Jun. 2016 |
| Burst Length | — | BL8 (JEDEC DDR4) |
| Bank Group Architecture | — | Yes (DDR4) |