K4A4G165WF-BCTD vs K4A4G165WE-BCTD 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4A4G165WF-BCTD 제조: Samsung Electronics 및 K4A4G165WE-BCTD 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4A4G165WF-BCTD | K4A4G165WE-BCTD |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | DRAM |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $8.20 | $11.38 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) |
| 메모리 크기 | 4 Gbit | 4 Gbit |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | — |
| Speed (Data Rate) | 2666 Mbps (DDR4-2666) | — |
| Supply Voltage VDD | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | — |
| I/O Voltage VDDQ | 1.2 V | — |
| 인터페이스 | SSTL-12 | Parallel, x16 |
| 패키지 | FBGA-96 (PBGA96) | FBGA-96 (TFBGA) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 | 0C to +95C | 0C to +85C |
| 특징 | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask | — |
| Technology | Samsung F-die CMOS | — |
| Bank Groups | 4 (x16 configuration) | — |
| Refresh | Self-refresh and auto-refresh supported | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant (per JLCPCB listing) |
| Memory Organization | — | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Die Generation | — | E-die |
| Terminal Count | — | 96 |
| Speed Grade | — | [DATA_NEEDED: max data rate / CAS latency for -BCTD suffix] |
| Product Status | — | Active |
| Datasheet Revision | — | K4A4G165WE Rev. 1.4, Jun. 2016 |
| Burst Length | — | BL8 (JEDEC DDR4) |
| Bank Group Architecture | — | Yes (DDR4) |