K4A4G165WG-BCWE vs MT40A512M16LY-062E AAT:E Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de K4A4G165WG-BCWE par Samsung Electronics et MT40A512M16LY-062E AAT:E par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Samsung Electronics
K4A4G165WG-BCWE K4A4G165WG-BCWE - 4Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung

K4A4G165WG-BCWE - 4Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung

K4A4G165WG-BCWE ✓ Actif
Micron Technology
MT40A512M16LY-062E AAT:E MT40A512M16LY-062E AAT:E - 8Gbit DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron

MT40A512M16LY-062E AAT:E - 8Gbit DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron

MT40A512M16LY-062E AAT:E ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre K4A4G165WG-BCWE MT40A512M16LY-062E AAT:E
Marque Samsung Electronics Micron Technology
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $16,90 $9,20
Type de mémoire DDR4 SDRAM (volatile DRAM) DDR4 SDRAM
Taille de mémoire 4 Gbit 8 Gbit (1 GB)
Memory Organization 256M x 16 512M x 16
Interface Parallel Parallel
Débit de données 3200 Mbps —
Access Time 19 ns 19 ns
Tension d'alimentation 1.2 V 1.2 V
Température de fonctionnement 0C to +85C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Boîtier FBGA-96 96-FBGA (7.5 x 13.5 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Memory Format DRAM —
Technology DDR4 —
Product Status Active —
Statut RoHS Compliant (per JLCPCB listing) Compliant
Clock Frequency [DATA_NEEDED: clock frequency / tCK range] 1.6 GHz
Latence CAS [DATA_NEEDED: CAS latency] —
Refresh Rate [DATA_NEEDED: refresh interval] —
Speed Grade — 062E
Package Height — [DATA_NEEDED: package max height]
MSL Rating — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Ordering Code Suffix — AAT:E (temperature/package option per Micron code)
Moisture Packaging — [DATA_NEEDED: packing type for AAT:E suffix]
Data Rate Class — DDR4-3200 (062E speed bin)

Fiches techniques et ressources

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