K4A8G045WB vs K4A8G045WB-BCPB Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A8G045WB par Samsung Electronics et K4A8G045WB-BCPB par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4A8G045WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2Gx4 2133Mbps | Samsung
K4A8G045WB-BCPB ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K4A8G045WB | K4A8G045WB-BCPB |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $9,27 | $9,02 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM (B-die) | DDR4 SDRAM (B-die) |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Organisation de la mémoire | 2G x 4 | 2G x 4 |
| Débit de données | 2133 Mbps | 2133 Mbps/pin (PC4-2133) |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | — |
| Max Supply Current | 211.7 mA | 211.7 mA |
| Température de fonctionnement | 0 C to +85 C | 0C to +85C |
| Boîtier | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| Refresh Cycles | 8192 | 8192 |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Number of Terminals | 78 | — |
| Clocking | Differential clock (CK / CK#) | Differential clocks (CK/CK#) |
| On-Die Termination | Yes (ODT pin) | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Posted CAS | Yes | — |
| Programmable CWL | Yes | — |
| Internal (Self) Calibration | Yes | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Prefetch Architecture | — | 8n |
| Burst Length | — | BL8, BC4 (burst chop) |
| Refresh Modes | — | Auto-refresh, Self-refresh |
| Termination | — | On-Die Termination (ODT) |
| Reset | — | Asynchronous Reset |
| Caractéristiques | — | Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration |