K4A8G045WB vs K4A8G045WB-BCPB 比較
詳細な並列比較: K4A8G045WB メーカー: Samsung Electronics および K4A8G045WB-BCPB メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | K4A8G045WB | K4A8G045WB-BCPB |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $9.27 | $9.02 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM (B-die) | DDR4 SDRAM (B-die) |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| メモリ構成 | 2G x 4 | 2G x 4 |
| データレート | 2133 Mbps | 2133 Mbps/pin (PC4-2133) |
| 電源電圧 | 1.2 V | — |
| Max Supply Current | 211.7 mA | 211.7 mA |
| 動作温度 | 0 C to +85 C | 0C to +85C |
| パッケージ | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| Refresh Cycles | 8192 | 8192 |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Number of Terminals | 78 | — |
| Clocking | Differential clock (CK / CK#) | Differential clocks (CK/CK#) |
| On-Die Termination | Yes (ODT pin) | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Posted CAS | Yes | — |
| Programmable CWL | Yes | — |
| Internal (Self) Calibration | Yes | — |
| RoHS ステータス | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Prefetch Architecture | — | 8n |
| Burst Length | — | BL8, BC4 (burst chop) |
| Refresh Modes | — | Auto-refresh, Self-refresh |
| Termination | — | On-Die Termination (ODT) |
| Reset | — | Asynchronous Reset |
| 特長 | — | Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration |