K4A8G085WB-BICH vs K4A8G085WB-BCPB Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A8G085WB-BICH par Samsung Electronics et K4A8G085WB-BCPB par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4A8G085WB-BICH | K4A8G085WB-BCPB |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $4,96 | $13,78 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8Gb | 8 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Tension d'alimentation | 1.2V | 1.2 V (nominal) |
| Débit de données | 2400 Mbps (DDR4-2400) | 3200 Mbps (PC4-25600) |
| Boîtier | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| Température de fonctionnement | 0°C to 85°C | — |
| Max Supply Current | 170mA | — |
| Burst Length | BL8, BL16 | 8 |
| Latence CAS | Programmable | — |
| On-Die ECC | Yes | — |
| Data Bus Inversion | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Die Revision | B-die | — |
| Speed Grade | — | BC |
| CAS Latency (CL) | — | 22 |
| Bank Architecture | — | 16 banks (4 bank groups) |
| Refresh Interval | — | 7.8 us (up to 85C) |
| Type d'interface | — | SSTL-12 |
| Termination | — | ODT / dynamic ODT |
| Self-Refresh | — | Temperature-Compensated Self-Refresh (TCSR) |
| Package Dimensions | — | 11 mm x 11 mm |
| Type de montage | — | Surface Mount (BGA) |
| Operating Mode | — | DLL enabled |
| Statut RoHS | — | Compliant |