K4A8G085WB-BICH vs K4A8G085WB-BCPB 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4A8G085WB-BICH 제조: Samsung Electronics 및 K4A8G085WB-BCPB 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4A8G085WB-BICH | K4A8G085WB-BCPB |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $4.96 | $13.78 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8Gb | 8 Gbit |
| 메모리 구성 | 1G x 8 | 1G x 8 |
| 공급 전압 | 1.2V | 1.2 V (nominal) |
| 데이터 속도 | 2400 Mbps (DDR4-2400) | 3200 Mbps (PC4-25600) |
| 패키지 | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| 동작 온도 | 0°C to 85°C | — |
| Max Supply Current | 170mA | — |
| Burst Length | BL8, BL16 | 8 |
| CAS 레이턴시 | Programmable | — |
| On-Die ECC | Yes | — |
| Data Bus Inversion | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Die Revision | B-die | — |
| Speed Grade | — | BC |
| CAS Latency (CL) | — | 22 |
| Bank Architecture | — | 16 banks (4 bank groups) |
| Refresh Interval | — | 7.8 us (up to 85C) |
| 인터페이스 유형 | — | SSTL-12 |
| Termination | — | ODT / dynamic ODT |
| Self-Refresh | — | Temperature-Compensated Self-Refresh (TCSR) |
| Package Dimensions | — | 11 mm x 11 mm |
| 실장 유형 | — | Surface Mount (BGA) |
| Operating Mode | — | DLL enabled |
| RoHS 상태 | — | Compliant |