K4A8G085WC-BCRC vs K4A8G085WC-BCPB Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A8G085WC-BCRC par Samsung Electronics et K4A8G085WC-BCPB par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G085WC-BCPB ✗ Fin de vieComparaison des spécifications
| Paramètre | K4A8G085WC-BCRC | K4A8G085WC-BCPB |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | DRAM | DRAM |
| Statut du cycle de vie | Actif | Fin de vie |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $4,30 | $2,95 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 8 Gb |
| Organisation de la mémoire | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | 1.2 V |
| Débit de données | 2400 Mbps (DDR4-2400) | 2133 Mbps |
| Boîtier | 78-ball FBGA (TFBGA) | 78FBGA |
| Terminal Pitch | 0.8 mm | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | 0C to +95C | 0 C to +85 C |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic On-Die Termination | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Statut RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Refresh | Auto/Self refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x] |
| Number of Terminals | — | 78 |
| Maximum Seated Height | — | 1.2 mm |
| Speed Grade | — | DDR4-2133 |
| Caractéristiques | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask |
| Latence CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Die Revision | — | [DATA_NEEDED: die revision] |
| Standard Package Quantity | — | [DATA_NEEDED: standard package quantity] |