K4A8G085WC-BCRC vs K4A8G085WC-BCPB Comparação

Comparação detalhada lado a lado de K4A8G085WC-BCRC por Samsung Electronics e K4A8G085WC-BCPB por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCRC K4A8G085WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WC-BCRC ✓ Ativo
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCPB K4A8G085WC-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCPB ✗ Fim de vida

Comparação de especificações

Parâmetro K4A8G085WC-BCRC K4A8G085WC-BCPB
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoria DRAM DRAM
Status do ciclo de vida Ativo Fim de vida
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $4,30 $2,95
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit 8 Gb
Organização da memória 1G x 8 1G x 8
Tensão de alimentação 1.2 V 1.2 V
Taxa de dados 2400 Mbps (DDR4-2400) 2133 Mbps
Encapsulamento 78-ball FBGA (TFBGA) 78FBGA
Terminal Pitch 0.8 mm —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de operação 0C to +95C 0 C to +85 C
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
CRC Function Yes —
ZQ Calibration Yes —
Dynamic On-Die Termination Yes —
Data Mask Function Yes —
Status RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Refresh Auto/Self refresh [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x]
Number of Terminals — 78
Maximum Seated Height — 1.2 mm
Speed Grade — DDR4-2133
Recursos — Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask
Latência CAS — [DATA_NEEDED: CAS latency]
Die Revision — [DATA_NEEDED: die revision]
Standard Package Quantity — [DATA_NEEDED: standard package quantity]

Fichas técnicas e recursos

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