K4A8G085WC-BCRC vs K4A8G085WC-BCPB 对比

详细并排对比 K4A8G085WC-BCRC 出自 Samsung Electronics 和 K4A8G085WC-BCPB 出自 Samsung Electronics。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况,以确定最适合您设计需求的元器件。

Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCRC K4A8G085WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WC-BCRC ✓ 量产中
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCPB K4A8G085WC-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCPB ✗ 停产

规格对比

参数 K4A8G085WC-BCRC K4A8G085WC-BCPB
品牌 Samsung Electronics Samsung Electronics
分类 DRAM DRAM
生命周期状态 有效 停产
库存状态 有库存 有库存
单价(USD) $4.30 $2.95
存储器类型 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit 8 Gb
存储组织 1G x 8 1G x 8
电源电压 1.2 V 1.2 V
数据速率 2400 Mbps (DDR4-2400) 2133 Mbps
封装 78-ball FBGA (TFBGA) 78FBGA
Terminal Pitch 0.8 mm —
安装类型 Surface Mount Surface Mount
工作温度 0C to +95C 0 C to +85 C
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
CRC Function Yes —
ZQ Calibration Yes —
Dynamic On-Die Termination Yes —
Data Mask Function Yes —
RoHS 状态 Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Refresh Auto/Self refresh [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x]
Number of Terminals — 78
Maximum Seated Height — 1.2 mm
Speed Grade — DDR4-2133
特性 — Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask
CAS 延迟 — [DATA_NEEDED: CAS latency]
Die Revision — [DATA_NEEDED: die revision]
Standard Package Quantity — [DATA_NEEDED: standard package quantity]

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