K4A8G085WC-BCWE vs H5AN8G8NAFR-VKC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A8G085WC-BCWE par Samsung Electronics et H5AN8G8NAFR-VKC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4A8G085WC-BCWE | H5AN8G8NAFR-VKC |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $7,38 | $4,15 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Organisation de la mémoire | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Débit de données | 3200 Mbps (DDR4-3200) | — |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | — |
| Température de fonctionnement | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Boîtier | 78FBGA | 78-ball FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Interface | DDR4 (parallel, double data rate) | SSTL12 |
| Application Class | Computing / Embedded main memory | — |
| Manufacturer | Samsung Electronics | — |
| Bank Group Architecture | DDR4 bank groups (8n prefetch) | Supported (per DDR4 JEDEC architecture) |
| Speed Bin Suffix | -BCWE (DDR4-3200, commercial temp) | — |
| Statut RoHS | Compliant (per JLCPCB listing) | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) |
| Refresh | Standard DDR4 refresh mechanisms | — |
| On-Die Termination | Yes (DDR4 ODT) | — |
| Speed Grade | — | DDR4-2666 (VKC bin) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Burst Length | — | 8 (BL8) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| DLL | — | Yes (DLL for output skew control) |
| Process Technology | — | CMOS |
| Recommended Application | — | Main memory requiring large density and high bandwidth |