K4A8G085WC-BIWE vs MT40A512M16JY-07EAIT:B Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A8G085WC-BIWE par Samsung Electronics et MT40A512M16JY-07EAIT:B par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Micron Technology
MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron
MT40A512M16JY-07EAIT:B ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K4A8G085WC-BIWE | MT40A512M16JY-07EAIT:B |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $6,29 | $8,10 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 1G x 8 | 512M x 16 |
| Débit de données | 3200 Mbps | 2666 MT/s |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Plage de température de fonctionnement | -40°C to +95°C | -40°C to +105°C (AIT grade) |
| Boîtier | 78-FBGA | 96-FBGA (8x14) |
| Type de montage | Surface Mount | — |
| Interface | POD-12 | Parallel |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | — |
| Latence CAS | 22 (CL22) | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Taille de mémoire | — | 8 Gbit |
| Clock Frequency | — | 1.33 GHz |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2V ±60mV |
| VPP Voltage | — | 2.5V, -125mV, +250mV |
| Refresh Time | — | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C |
| I/O Type | — | 1.2V pseudo open-drain |
| VREFDQ | — | On-die, internal, adjustable |
| AEC-Q100 | — | Qualified (AIT suffix) |
| RoHS | — | Compliant |